Енергонезависими памети EEPROM и Flash памети. Твърдотелни носители на информация. Системно програмно осигуряване (memory.doc)

ТЕХНИЧЕСКИ УНИВЕРСИТЕТ - ВАРНА

Курсов ПРОЕКТ
по
Компютърна Периферия

Тема: Енергонезависими памети EEPROM и FLASH памети. Твърдотелни носители на информация. Системно програмно осигуряване (memory.doc)

Изготвил: Никола Костадинов Проверил:
Специалност: Компютърни системи и технологии – задочно
Факултетен № ******** /Гл. Ас. Сава Иванов/

Съдържание:
1. Енергонезависими памети
1.1 EEPROM
1.2 Flash
1.3 Устройство и принцип на действие на EEPROM и Flash памети
2. Твърдотелни носители на информация
2.1 Твърдотелни дискове SSD
2.2 Compact Flash
2.3 Memory Stick
2.4 Flash Drive
2.5 Други видове твърдотелни памети
3. Програмно осигуряване на компютърните системи
3.1 Системно програмно осигуряване
3.1.1 Трипластов модел на КС
3.1.2 BIOS
4. Използвана Литература

1. ЕНЕРГОНЕЗАВИСИМИ ПАМЕТИ

Паметите, които съхраняват записаната информация при липса на захранващо напрежение, са две основни групи - постоянни памети и репрограмируеми памети. Микроелектронните постоянни памети се отнасят към паметите с произволен достъп. При тях времето за достъп до дадена запомняща клетка не зависи от нейното разположение и от избора на другите клетки. Информацията е постоянна, еднократно записана и може да се чете многократно, но не може да бъде изменена (Read Only Memory - ROM). Блок схемата на постоянните памети е аналогична с тази на оперативните памети, с изключение на схемите за запис. В зависимост от режима на работа на периферните схеми, постоянните памети се подразделят на статични, статични с режим на намалена консумация и статични с динамични периферни схеми и външен тактов сигнал. Според начина на реализиране на еднократния неизтриваем запис, постоянните памети се разделят на:
маск-програмируеми - при тях записа се осъществява от производителя по време на технологичния цикъл с помощта на определен фотошаблон;
програмируеми от потребителя по електрически път (Programmable Read Only Memories).
При производството на маск-програмируеми ROM в практиката са се наложили два вида:
програмируеми с фотошаблон, определящ активната област;
програмируеми с фотошаблон, с който се реализират контактните отвори.
При първия случай съдържанието на запомнящата клетка (логическа 0 или 1) се определя от това дали в съответната транзисторна структура има тънък подгейтов окис (активен транзистор) или в областта между сорса и дрейна е оформен дебел окис (пасивен транзистор). Транзисторите с тънък подгейтов оксид имат ниско прагово напрежение и се активизират при подаване на адресния сигнал. При транзисторите с дебел оксид праговото напрежение е по-високо от това на адресния сигнал и те остават отпушени - на входа на усилвателя за четене се появява логическа 1 – фиг.1

Целият материал тук:
https://cloud.mail.ru/public/9qMf/efamwfB3o